%0 Journal Article
%T 半绝缘砷化镓中与EL2缺陷有关的局域模振动吸收研究
%A 宋春英
%J 科学通报
%D 1988
%I 
%X 一、引言 由于SI-GaAs材料在技术上的极端重要性,决定其半绝缘性质的EL2能级成为最受关注的深能级之一。近几年来,人们通过大量实验(包括光电容、光电流、光致发光和光吸收)观察到了EL2这个本征深中心的奇特的光淬灭效应。为了解释这种现象,人们普遍接受了由Vincent等提出的包含大晶格弛豫的亚稳态的位形坐标模型。但由于所观察的各种
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=57CFA244679E8B2A250AE6D0548E6970&yid=0702FE8EC3581E51&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=38B194292C032A66&sid=6425DAE0271BB751&eid=6425DAE0271BB751&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0