%0 Journal Article
%T GLTGS晶体生长及其热释电性能
%A 常新安
%A 李云飞
%A 王民
%A 蒋耘华
%A 王希敏
%A 张克从
%J 科学通报
%D 2000
%I 
%X 根据结构与性能的关系，选择胍基乙酸作为掺质，采用水溶液降温法生长了ＧＬＴＧＳ晶体，发现掺质的存在使晶体的生长形态、单胞参数和解理性均发生了变化。对所生长晶体的热释电性能进行了系统测量。结果表明，掺质显著地增强了晶体的热释电效应，与纯ＴＧＳ晶体相比，ＧＬＴＧＳ晶体在２０￣３０℃的温度范围内，热释电系数增加了４９．３％￣５５．８％，品质因子增加了３５．４％￣４９．３％。另外，经过测量晶体的电滞回线发现
%K GLTGS晶体生长
%K 热释电系数
%K 品质因子
%K 热释电性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=7937C88D5D7DEE0D7D35CA253A4965B6&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=94E7F66E6C42FA23&iid=59906B3B2830C2C5&sid=08DDB398556FE547&eid=A1CD1DC26CC35415&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=9