%0 Journal Article
%T c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质
%A 顾豪爽
%A 李湘云
%A 王世敏
%A 包定华
%A 李洪彬
%A 邝安祥
%J 科学通报
%D 1996
%I 
%X Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.
%K Bi4Ti3O12
%K c轴取向
%K 铁电薄膜
%K 制备
%K 光学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=413B6BAE635F5ECEE11A6B0FFE3EA87D&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=2001E0D53B7B80EC&iid=38B194292C032A66&sid=CAA7BAE04CB631A1&eid=69E4C201C13601F9&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=1&reference_num=2