%0 Journal Article
%T Si的低温电学性质
%A 周洁
%A 王占国
%A 刘志刚
%A 王万年
%A 尤兴凱
%J 科学通报
%D 1966
%I 
%X 本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10~(12)—1×10~(20)cm~(-3)含硼或磷(砷)Si的电学性质。单晶Si材料是由直拉法与浮带法所制备的。研究用的样品均垂直拉晶方向111]切成16×4×2毫米~3的矩形。电极用冷压金丝或铝合金化经压触来达到欧姆接触。电阻<10~5欧姆的样品,用直流补偿法来进行测量,电阻>10~5欧姆的样品,则采用DC-1静电计电路来进行测量,前者实验误差为±5％,后者为±10％。从霍尔系数与电阻率的温度关系分析指出,对于较纯样品的硼受主能级的电离能为4.5×10~(-2)ev(位于价带上),磷施主能级的
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=79C215FEC4FCE6D375FF928A807AA38B&yid=C7EA1836BA194C9B&vid=708DD6B15D2464E8&iid=38B194292C032A66&sid=A63576421B012172&eid=A63576421B012172&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0