%0 Journal Article
%T 光致发光多孔硅的特性研究
%A 韩正甫
%J 科学通报
%D 1993
%I 
%X 硅常温下的禁带宽度仅1.1eV,且是间接跃迁型半导体。这是困扰光电子学几十年的老问题,多年来人们想尽各种掺杂办法,均未达到理想的结果,Canham用电化学刻蚀的办法在单晶硅片上形成多孔硅,然后停电继续腐蚀一段时间,制成高孔积率(80％以上)的多孔硅膜,在氩离子激光激发下,用肉眼就能观察到明显的红光发射,这一发现在光电子学领域引起了轰动。多孔硅早在30年前就已发现,在近10年内受到广泛注意,但主要是利用多孔硅形成良好的SiO_2电绝缘层,因此其孔积率一般不超过56％,Canham的第二步腐蚀是形成发光层的关键,而Bsiesy等则采用氧化的方法能达到同样的目的,到目前为止,大多数人认为这一现象是由量子效应引起的这种观点认为:在电化学形成多孔硅过程中,硅基
%K 共致发光
%K 多孔硅
%K 量子线
%K 硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=E2407A5DCB8E2B734BE76E2872759B54&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=16D8618C6164A3ED&iid=94C357A881DFC066&sid=1FF3CD54EFC256A1&eid=1FF3CD54EFC256A1&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=1