%0 Journal Article
%T 瞬态高温等离子体生成氮化硅与ESCA分析
%A 韩丽君
%J 科学通报
%D 1989
%I 
%X 氮化硅具有耐腐蚀、耐高温、硬度高、磨擦系数小等特性,在工业应用中是一种优异的陶瓷材料,此外,由于氮化硅(Si_3N_4)有良好的绝缘性能,在大规模集成电路中用作掩膜或介质薄膜。近年来,采用电子束感生的化学气相沉积法(EBCVD),产生氮化硅薄膜沉积在SiO_2、多晶硅和单晶硅衬底上,这种方法要用NH_3、N_2和SiH_4作为反应气体,由于反应中含
%K 氮化硅
%K 等离子体
%K ESCA分析
%K 电子束
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=DDD8097861A652ADEA5C5EBA151D1903&yid=1833A6AA51F779C1&vid=339D79302DF62549&iid=38B194292C032A66&sid=E0F6F365E4766526&eid=E0F6F365E4766526&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=3&reference_num=4