%0 Journal Article
%T Tb-Fe合金系非晶薄膜的电子输运性质
%A 韩顺辉
%J 科学通报
%D 1981
%I 
%X 引言非晶材料的电子输运性质已成为人们感兴趣的研究课题。我们对稀土—铁族非晶薄膜开展了一些观察电子输运性质的工作。在对溅射的Gd-Co薄膜观察到低温电阻率反常之后,对用蒸发淀积方法制备的Tb_(36)Fe_(64)非晶薄膜,也观察到低温电阻率反常。在此基础上,我们在一般真空度(2×10~(-5)—6×10~(-6)mmHg)的条件下,制备了一组Tb_xFe_(100-x)(at.％)合金非晶薄膜,20≤x≤75,进一步探讨稀土一铁族非晶薄膜的电子输运性质。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=0D6D94360FA2ABEFE65E32E9C40813CC&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=96C778EE049EE47D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=4A8412AEEC89236B&eid=4A8412AEEC89236B&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0