%0 Journal Article
%T 砷化镓p-n结的受激发射
%A 刘伍林
%J 科学通报
%D 1965
%I 
%X 砷化镓的复合辐射具有高的量子效率,因此可以利用半导体p-n结正向注入来获得受激发射。我们在1963年12月31日制成了能产生受激发射的砷化镓激射器,本文报导这类砷化镓p-n结激射器的受激发射的辐射特性,包括谱线的变窄、光束的变窄以及电流达到阈值时辐射强度的陡然增加。还研究了77°K和20°K时,阈值电流的变化。 p-n结是由扩散方法制成的,在起始掺碲浓度为5×10~(17)厘米~(-3)至1.5×10~(18)匣米~(-3)的n型砷化镓中扩散锌,扩散深度为50微米。样品做成长方形,其结构示于图1。典型的样品尺寸为 0.15×
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=3B61E4A944F71213&yid=DCB97F70EF167067&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=8BD23BD67BF01A5C&eid=8BD23BD67BF01A5C&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0