%0 Journal Article
%T Hg_(1-x)Cd_xTe三元半导体的禁带宽度
%A 褚君浩
%J 科学通报
%D 1982
%I 
%X 三元系Hg_(1-x)Cd_xTe(0≤x≤1)随着x的增大由半金属转变成半导体,半导体的禁带宽度E_g既是发展红外探测器的基本参数,又是能带结构研究中必须由实验来确定的两个最基本的参数之一(另一个是电子有效质量m~*或动量矩阵元P),因而它与组分x和温度T的关系是一个特别重要的问题,有过不少的研究报道。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=FBB7DC944F25D743B57ACD9A40DEED5E&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=DB817633AA4F79B9&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=1E9426A299DC9FFD&eid=1E9426A299DC9FFD&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=1&reference_num=0