%0 Journal Article
%T 非晶态半导体多层膜a-Si:H/a-SiN_x:H的总应力随退火温度变化的研究
%A 王万录
%J 科学通报
%D 1987
%I 
%X 一、引言 近几年以来,非晶态半导体多层膜结构越来越引起人们的极大兴趣,由于非晶态半导体本身结构是长程无序的,因此在制备多层膜时,不象晶态那样,需要在材料选择上考虑严格的晶格匹配问题。加之它有许多新奇的特性,这就为非晶态半导体又开拓了一个新的研究领域,然而它和其他非晶态半导体材料一样,在薄膜的制备过程中,积存了很大的内应力。当应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=B3B413F33C56325E92CA575F784EC8C6&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=9971A5E270697F23&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=CEFA535D01173730&eid=CEFA535D01173730&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=2&reference_num=0