%0 Journal Article
%T Model development for patterns generated by localized oxidations with bi-dimensional numerical stimulations<br>基于二维数值仿真技术的局部场氧化形状建模
%A CHEN Xiao-min
%A <br>陈晓敏
%J 重庆邮电大学学报(自然科学版)
%D 2012
%I 
%X 通过工艺仿真软件S-Tsuprem4对CMOS中常用的硅局部场氧化 （local oxidation silicon，LOCOS）技术所生成的“鸟嘴”图形进行了仿真，提出了一种形状模型。随后利用最小二乘拟合法得到相对应的参数，拟合误差为7e-4, 并最后以分段函数的方式给出了模型的表达式。该模型可以使“鸟嘴”结构更加方便应用于半导体器件的数值仿真和设计。
%K 工艺仿真
%K 硅局部场氧化（LOCOS）
%K 形状模型
%K 最小二乘拟合
%K 分段函数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=96E6E851B5104576C2DD9FC1FBCB69EF&jid=5C2694A2E5629ECD6B59D7B28C6937AD&aid=E421D7947D07E18D44CDBF04641C72CA&yid=99E9153A83D4CB11&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=E158A972A605785F&sid=AE43DE0664B02889&eid=F3A3627BFEF439C1&journal_id=1673-825X&journal_name=重庆邮电大学学报(自然科学版)&referenced_num=0&reference_num=0