%0 Journal Article
%T C-V characteristics of 6H-SiC buried-channel MOSFET<br>6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究
%A WANG Yu-qing
%A WANG Wei
%A SHEN Jun-jun
%A <br>王玉青
%A 王巍
%A 申君君
%J 重庆邮电大学学报(自然科学版)
%D 2009
%I 
%X 研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型，分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系。在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响，并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型。由于在假设界面态密度分布均匀条件下，对界面态做了简化处理，因而计算结果与实验结果有所差异。
%K SiC<br>埋沟MOSFET
%K C-V特性
%K 界面态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=96E6E851B5104576C2DD9FC1FBCB69EF&jid=5C2694A2E5629ECD6B59D7B28C6937AD&aid=4B0134827168D3560F9C4648863A4731&yid=DE12191FBD62783C&vid=659D3B06EBF534A7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=67969BA850333433&eid=E44E40A2398D4F2A&journal_id=1673-825X&journal_name=重庆邮电大学学报(自然科学版)&referenced_num=0&reference_num=6