%0 Journal Article
%T Research on Row Buffer Hit Prediction for Memory Access<br>存储器行缓冲区命中预测研究
%A WANG De-li
%A GAO De-yuan
%A WAND Dang-hui
%A SUN Hua-jin
%A <br>王得利
%A 高德远
%A 王党辉
%A 孙华锦
%J 计算机科学
%D 2010
%I 
%X 存储系统已经成为提高计算机系统性能的一个瓶颈.现利用DRAM存储器的访问特性来减少存储器访问操作的平均延迟.首先对存储器行缓冲区的控制策略进行研究,提出了读写分离式页模式预测器,并提出了双饱和计数器预测器和2级预测器等两种预测器方案;然后以SimpleScalar搭建的仿真平台对提出的预测方案进行了性能评估.结果显示,与缓冲区"关"策略相比,平均访问延迟减少了26%,IPC平均提高了4.3%;与缓冲区"开"策略相比,平均访问延迟减少了19.6%,IPC平均提高了2.5%.
%K Memory system
%K Row buffer
%K Page mode prediction
%K Separated read and write<br>存储系统
%K 行缓冲区
%K 页模式预测
%K 读写分离
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=8240383F08CE46C8B05036380D75B607&jid=64A12D73428C8B8DBFB978D04DFEB3C1&aid=BABD5469C6B96219D2B2A1D49AB18E78&yid=140ECF96957D60B2&vid=42425781F0B1C26E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=E42CAFB11D4BE21A&eid=119B6C0AA09DE6B9&journal_id=1002-137X&journal_name=计算机科学&referenced_num=0&reference_num=7