%0 Journal Article
%T POLARITY GROWTH OF INTERMETALLIC COMPOUND INDUCED BY ELECTROMIGRATION AT THE INTERFACE BETWEEN EUTECTIC SnPb AND Ni(P)FINISHES<br>电迁移作用下SnPb与Ni(P)界面金属间化合物的极性生长
%A LU Yudong
%A HE Xiaoqi
%A EN Yunfei
%A WANG Xin
%A ZHUANG Zhiqiang
%A <br>陆裕东
%A 何小琦
%A 恩云飞
%A 王歆
%A 庄志强
%J 金属学报
%D 2009
%I 
%X 采用球栅阵列封装(BGA)焊点研究共晶SnPb焊点中的电迁移行为,分析了电迁移作用下SnPb焊点与Ni(P)镀层界面金属间化合物(IMC)的极性生长现象,从原子迁移的角度提出了互连焊点微结构演化的微观机理.焊点在焊接过程中形成厚度约为2 μm的Ni3Sn4 IMC层,随后的120℃热处理并不会导致界面IMC的明显生长.而电迁移作用下,阳极焊点与镀层界面IMC出现异常生长,同时阴极焊点与镀层界面IMC生长受到抑制,最终在同一焊点中形成极性生长的现象.界面IMC的极性生长与电迁移引起的原子通量有关,Sn原子通量方向与电子流方向相同,而Ni原子通量方向相反,导致阳极界面IMC的异常生长,而相同的原子迁移特性导致阴极界面IMC的生长受到抑制.
%K SnPb<br>焊点
%K 金属间化合物
%K 电迁移
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=AB188D3B70B071C57EB64E395D864ECE&jid=B061E1135F1CBDEE96CD96C109FEAD65&aid=5C14D9510A79CC5A950D22E7E01ECFE1&yid=DE12191FBD62783C&vid=94E7F66E6C42FA23&iid=0B39A22176CE99FB&sid=4609832E4B5C797B&eid=B1F98368A47B8888&journal_id=0412-1961&journal_name=金属学报&referenced_num=0&reference_num=10