%0 Journal Article
%T Room-temperature deposition of amorphous titanium dioxide film by pulsed bias arc ion plating<br>脉冲偏压电弧离子镀室温沉积非晶TiO2薄膜
%A ZHANG Min
%A LIN Guoqiang
%A DONG Chuang
%A WEN Lishi
%A <br>张敏
%A 林国强
%A 董闯
%A 闻立时
%J 金属学报
%D 2007
%I 
%X 采用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃基片上室温制备了均匀透明的非晶TiO2薄膜,在0--900 V范围内改变脉冲偏压幅值,考察其对薄膜沉积速率、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,随着脉冲偏压的升高,非晶薄膜沉积速率以-100 V为界先高后低;薄膜的吸收边先红移后蓝移,但光学带隙Eg基本无变化,约为3.27 eV;-300 V偏压时薄膜达到原子级表面平滑度,均方根粗糙度Rrms≈0.113 nm,因而薄膜折射率n也最高(nλ=550 nm达到已有报道的最高值2.51).
%K amorphous TiO2 film
%K pulsed negative bias
%K arc ion plating
%K optical property<br>非晶TiO2薄膜
%K 脉冲负偏压
%K 电弧离子镀
%K 光学性能
%K 脉冲偏压
%K 电弧离子镀
%K 室温制备
%K 沉积速率
%K 非晶薄膜
%K 薄膜折射率
%K ARC
%K ION
%K PLATING
%K PULSED
%K BIAS
%K FILM
%K AMORPHOUS
%K DEPOSITION
%K TEMPERATURE
%K 均方根粗糙度
%K 表面平滑度
%K 原子
%K 变化
%K 光学带隙
%K 蓝移
%K 红移
%K 吸收边
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=AB188D3B70B071C57EB64E395D864ECE&jid=B061E1135F1CBDEE96CD96C109FEAD65&aid=874A1CE7C8235F7F2DCD3F0B10BBD806&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=BE33CC7147FEFCA4&iid=94C357A881DFC066&sid=4ECB3941871FD391&eid=C4BBAD7A2DCC89BC&journal_id=0412-1961&journal_name=金属学报&referenced_num=0&reference_num=23