%0 Journal Article
%T SOLID STATE REACTION FOR MAGNETRON SPUTTERING Cu/Al MULTILAYERS<br>磁控溅射Cu/Al多层膜的固相反应
%A WANG Wei
%A LU Ke
%A <br>汪伟
%A 卢柯
%J 金属学报
%D 2003
%I 
%X 采用磁控溅射技术原子比为2：1、调制周期A分别为20和5nm的Cu/Al多层膜，用X射线衍射（XRD），透射电镜（TEM）和热分析（DSC）等技术研究了多层膜的固相反应。∧＝20nm的多层膜样品中铜和铝膜均沿（III）方向择优生长，加热至145℃时生成α－Cu固溶体，超过191℃时生成γ2-Cu9Al4要。制备态∧＝5nm的样品有α-Cu生成。加热时γ2－Cu9Al4的生成温度显著降低（134℃），测定了∧＝20nm多层膜样品中α-Cu和γ2－CuAl4的形成激活能分别为0．56eV和0.79eV，后者与文献值相符。
%K magnetron sputtering
%K Cu/Al multilayer
%K solid state reaction<br>磁控溅射
%K Cu／Al多层膜
%K 固相反应
%K 纳米薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=AB188D3B70B071C57EB64E395D864ECE&jid=B061E1135F1CBDEE96CD96C109FEAD65&aid=9F0704CA19FE1C66&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=7C3A4C1EE6A45749&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=E158A972A605785F&journal_id=0412-1961&journal_name=金属学报&referenced_num=3&reference_num=12