%0 Journal Article
%T PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITED TiN FILMS<br>等离子体化学气相沉积TiN膜的研究
%A LI Shizhi
%A XU Xiang Qingdao Institute of Chemical Technology
%A Qingdao
%A ShandongProfessor
%A Thin Solid Films Lab
%A Qingdao Institute of Chemical Technology
%A Zhengzhou Road
%A Qingdao
%A Shandong
%A <br>李世直
%A 徐翔
%J 金属学报
%D 1988
%I 
%X 采用直流等离子体化学气相沉积技术,在高速钢、Si(100)和Si(111)基体上沉积TiN膜,并对膜的晶体结构、表面形貌、断口结构、显微硬度、氯含量等进行了测定和分析,部分样品进行了二次离子质谱(SIMS)、Auger谱(AES)和X光光电子谱(ESCA)等分析.试验表明:在不同基材上沉积的TiN膜,只要沉积参数相同,膜的结构和性能都相同.在沉积温度500℃左右,TiN膜的生长方式有一转变,即可能是由层生长转变为岛状生长.直流PCVD法生成的TiN膜,其N:Ti≈1:1,有强的(200)织构,膜与基体间有较宽的共混区,因而结合强度高和耐磨性好,适于用作耐磨镀层.
%K plasma chemical vapor deposition
%K TiN film<br>等离子体化学气相沉积
%K TiN膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=AB188D3B70B071C57EB64E395D864ECE&jid=B061E1135F1CBDEE96CD96C109FEAD65&aid=7265D3CB2C33CCE7E49C3922AE6AFFAB&yid=0702FE8EC3581E51&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=38B194292C032A66&sid=F8035C8B7D8A4264&eid=6CCE24D86D03D083&journal_id=0412-1961&journal_name=金属学报&referenced_num=1&reference_num=1