%0 Journal Article
%T RESISTIVITY MINIMUM IN ANTIFERROMAGNETIC γ-Fe-Mn BASE ALLOYS CONTAINING Al OR Si
%A 张彦生
%J 金属学报
%D 1987
%I 
%X 本文研究Al,Si及Cr对反铁磁性γ-Fe-Mn基合金的Neel转变及电阻极小的影响.结果表明,Cr对Fe-Mn基合金的磁化率(X),X-T及ρ(电阻率)-T关系的影响较小,也不促进基体形成局域净磁矩.相反,Al,Si则显著改变γ-Fe-Mn合金的磁结构、X-T及ρ-T关系,在Neel温度T_N以下,随反铁磁转变的磁性电阻ρ_m的增大,出现电阻极小,随后出现负电阻温度系数.降温直至4.3k,γ-Fe-Mn及γ-Fe-Mn-Cr合金在试验精度内未呈现任何电阻反常变化,而固溶Al或Si后则观察到第二次电阻极小,电阻极小温度T_(min)~(2)与电阻极小深度△ρ(ρ_(4k)～ρ_(T_(min)))随Al,Si浓度的增大而增加,且在T_(min)~(2)—4k间,ρ随lgT的降低而线性增大.由此可以假定,反铁磁态γ-Fe-Mn中加入Al或Si,导致Fe离子处形成局域净磁矩,并发生ISDW-CSDW态转变,因而产生类似Kondo效应的低温电阻极小.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=AB188D3B70B071C57EB64E395D864ECE&jid=B061E1135F1CBDEE96CD96C109FEAD65&aid=7ABC2A77A48AC331EB95757A444805CC&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=EA389574707BDED3&iid=E158A972A605785F&sid=31BCE06A2FD82A16&eid=7737D2F848706113&journal_id=0412-1961&journal_name=金属学报&referenced_num=0&reference_num=1