%0 Journal Article
%T GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其Ⅰ-Ⅴ特性的研究
%A 刘延祥
%A 夏冠群
%A 唐绍裘
%A 程宗权
%J 红外
%D 2004
%I 
%X 本文简单介绍了GaInAsSb/GaSb PIN探测器的结构及工作原理,重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器Ⅰ-Ⅴ反向偏软的特性的方法。
%K GaInAsSb/GaSb
%K 红外探测器
%K Ⅰ-Ⅴ特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=5FA6BD9B8449661E11F4939AE34A9BED&yid=D0E58B75BFD8E51C&iid=94C357A881DFC066&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0