%0 Journal Article
%T 显微喇曼光谱用于对SOI材料局域应力表征
%A 王金斌
%J 红外
%D 2004
%I 
%X 本文从喇曼光谱原理、实验方法和实验手段上阐述显微喇曼在测试SOI材料局部应力中的应用，详细综述了显微喇曼光谱对各种不同SOI材料的喇曼分析。通常来说，局部内应力会引起喇曼峰的宽化以及峰位的移动，压应力会使喇曼峰向高频方向移动，而张应力却是向低频方向移动。详细分析喇曼峰的移动情况可以分析材料内部的应力分布情况。由于显微喇曼能提供小于1μm空间分辨率，同时分析时无需对材料进行破坏，因而是一种实用性很强的分析手段。
%K 喇曼光谱
%K SOI材料
%K 空间分辨率
%K 晶格振动
%K 喇曼频率
%K 晶体光学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=4359A2551D77E9FA&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=A04140E723CB732E&iid=E158A972A605785F&sid=B91E8C6D6FE990DB&eid=340AC2BF8E7AB4FD&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=23