%0 Journal Article %T 低维结构中的应变效应的研究 %A 汤乃云 %J 红外 %D 2004 %I %X 1 引言 半个世纪以来,半导体的研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位。这是因为半导体不仅具有极其丰富的物理内涵,而且其性能可置于不断发展的精密工艺控制之下,传统的晶体管、集成电路及很多其他半导体电子元件都是明显的例证。半导体超晶格和微结 %K 低维结构 %K 应变效应 %K 半导体晶体学 %K 超晶格结构 %K 超晶格应变 %K 晶格常数 %K 量子阱 %K 光电探测器 %K 量子点 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=74F22309A3E88FA1&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=7801E6FC5AE9020C&eid=A04140E723CB732E&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=15