%0 Journal Article
%T 制备HgCdTe红外焦平面器件的离子注入技术
%A 王庆学
%J 红外
%D 2003
%I 
%X 1 前言 啼镉汞光伏型红外焦平面列阵器件(IRF-PAs)是以外延材料为基础发展起来的,其基本工作原理利用了P-n结的光电效应。目前,碲镉汞光伏型红外焦平面的器件结构主要是离子注入形成的n-on-p和p-on-n平面结。虽然现在已
%K 离子注入技术
%K 碲镉汞光伏型红外焦平面器件
%K 光电效应
%K PN结
%K 掺杂技术
%K 液相外延
%K 分子束外延
%K X衍射表征
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=0DC025F0D40050FA&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=EF27C460877D3C9F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=F3583C8E78166B9E&eid=EA389574707BDED3&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=1&reference_num=30