%0 Journal Article
%T 采用PVDF薄膜的单片热释电红外图像传感器
%A 藤塚德夫
%A 江涛
%J 红外
%D 2001
%I 
%X 研制出了16×16像元的单片热释电红外图像传感器.该图像传感器的特征是利用电子溅射法制作PVDF热释电膜,利用埋沟MOSFET制作低噪声探测器,利用微机械加工制作由四条横梁支撑的薄膜结构的热绝缘结构.探测部大小为75 μm见方、调制频率为55 Hz的图像传感器,其电压灵敏度达到6600 V/W,比探测率达1.6×107cmHz1/2·W-1,成功地获得了黑体炉开口部的热图像.虽然在灵敏度误差、噪声、偏置电压方面还存在着问题,但在实现单片热释电红外图像传感器方面已看到了前景.
%K PVDF薄膜
%K 单片热释电红外图像传感器
%K 探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=9A2BEE8CF6247B31&yid=14E7EF987E4155E6&iid=94C357A881DFC066&sid=96C778EE049EE47D&eid=9971A5E270697F23&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=8