%0 Journal Article
%T 红外探测器材料Ⅱ
%A 高国龙
%J 红外
%D 2003
%I 
%X 一、HgCdTe的外延与分子束外延生长 1.用MOVPE生长在(211)B CdTe/Si衬底上的HgCdTe膜层的特性(S.H.Suh等,韩国科技研究所)
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=D326094A200237B4F63761652A89AFA2&yid=D43C4A19B2EE3C0A&iid=F3090AE9B60B7ED1&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0