%0 Journal Article
%T Preparing, Resistance-Temperature Characteristics and Structure of VOx Thin Films<br>VOx薄膜的制备、电阻-温度特性及结构研究
%A shaolinfei
%A liheqin
%A fanwenbin
%A songzerun
%A <br>邵林飞
%A 李合琴
%A 范文宾
%A 宋泽润
%J 红外
%D 2009
%I 
%X VO2是一种热致相变材料.发生相变时,VO2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化.采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VOx薄膜的结构、电阻-温度性能的影响.结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VOx薄膜的电阻一温度突变性能最佳.
%K vanadium dioxide film
%K direct current reactive magnetron sputtering
%K deposition condition
%K abrupt resistance<br>VO2薄膜
%K 直流反应磁控溅射
%K 沉积条件
%K 电阻突变
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=7E75A645E148F452D598406A9B39FD3E&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=708DD6B15D2464E8&sid=340AC2BF8E7AB4FD&eid=339D79302DF62549&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=12