%0 Journal Article
%T 光学吸收性能增强20倍的SOI型光电探测器
%A Stuart
%A HR 贡树行
%J 红外
%D 2001
%I 
%X 增加一层单层的纳米级微粒,就能显著地改变物质结构的光学性质.最近我们提供了一个实际例子:在薄薄的硅在绝缘层上(SOI)的光电探测器上,增加一层纳米微粒的银(Ag)层,其光学吸收能力(吸收波长λ≈800 nm)会增加大约20倍1].图1上部表示SOI样品的几何图形以及纳米微粒层的一张扫描电子显微镜(SEM)成像图,微粒的平均直径D=108nm.
%K 光学吸收性能
%K SOI型
%K 光电探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=78446381F21C51F5&yid=14E7EF987E4155E6&iid=B31275AF3241DB2D&sid=7C3A4C1EE6A45749&eid=1371F55DA51B6E64&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=5