%0 Journal Article
%T Effect of Quantum Confinement on Acceptor Transition in δ-doped GaAs/AlAs Multiple-quantum Wells<br>量子限制效应对受主跃迁的影响
%A chuningning
%A zhengweimin
%A <br>初宁宁
%A 郑卫民
%J 红外
%D 2009
%I 
%X 通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱(阱宽范围从30A到200A)中δ-掺杂浅受主杂质铍(Be)原子带间跃迁的影响.实验中所用的样品是利用分子束外延技术生长的均匀掺Be受主的GaAs外延层和一系列在量子阱的中央进行了浅受主Be原子δ-掺杂的GaAs/AlAs多量子阱.在4.2K的低温下,测量了上述样品的光致发光谱,很清楚地观察到了受主束缚激子从基态1S3/2(Γ6)到两个激发态2S3/2(Γ6)和3S3/2(Γ6)的双空穴跃迁.研究发现,随着量子限制效应的增强,受主跃迁能量会增加.对量子限制效应调节受主杂质问跃迁能量的研究,进一步增强了对受主能态可调性的认识,为太赫兹远红外发光器或激光器的研发提供了一种新的途径.
%K effect of quantum confinement
%K GaAs/AlAs multiple quantum wells
%K delta-doped
%K photoluminescence spectra<br>量子限制效应
%K GaAs/AlAs多量子阱
%K δ掺杂
%K 光致发光(PL)谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=0F5C83823B0AB69F08D185EEA64E3EB9&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=708DD6B15D2464E8&sid=59906B3B2830C2C5&eid=7801E6FC5AE9020C&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=20