%0 Journal Article
%T 用红外检测方法确定半导体器件上的残余膜
%A 高
%J 红外
%D 2003
%I 
%X 大规模集成电路和超大规模集成电路结构的形态一般是用三种显微技术即光学显微术、扫描电子显微术和透射电子显微术测定的。但是,业已证明,有许多种表面异常现象用上述三种显微技术是难以检测的。例如,残余的氧化膜就难以用光学显微技术观察到。
%K 半导体器件
%K 残余膜
%K 红外检测
%K 氧化物薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=EA0C95DBFC4C0ED5D4977639C41AD1EF&yid=D43C4A19B2EE3C0A&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=94C357A881DFC066&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0