%0 Journal Article
%T 窄禁带半导体光电二极管的最新进展（上）
%A Rogae.
%A A 贡树行
%J 红外
%D 2000
%I 
%X 当前红外探测器的许多研究工作是致力于改进单元器件和大规模电子扫描列阵器件的性能，致力于获得较高的探测器工作温度。研究工作的另一个重要目标是促使这些红外探测器价格更便宜，使用更方便。本文提出了窄禁带半导体光电二极管性能的调研情况，讨论了各种红外光电二极管技术的最新进展，这些器件是：ＨgCdTe光电二极管、ＩnSb光电二极管、可替代ＨgCdTe的由Ⅲ－Ⅴ族和Ⅱ－Ⅵ族元素组成的三元合金光电二极管，以7及单片硫化铅一类的光电二极管。调查了这些光电二极管的性能，它们的工作波段包括：短波红外（ＳＷＩＲ）：１μm－３μm；长波红外（ＬＷＩＲ）：８μm－１４μm。与其它类型的光子探测器相比，ＨgCdTe探测器的工作温度较高，在中波红外区域，ＨgCdTe探测器使用热电致冷器工作，器件性能可能达到背景限水平，而长波ＨgCdTe红外探测器则需要工作在大约１００Ｋ的温度。与其它探测器比较焉，ＨgCdTe探测器的特点是吸收系数和量子效率较高，而热产生速率则相对较低。
%K 红外探测器
%K 窄禁带
%K 半导体光电二极管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=6DE413DFC6A1D03E06F4CDDD5512DB42&yid=9806D0D4EAA9BED3&iid=59906B3B2830C2C5&sid=BCA2697F357F2001&eid=BC12EA701C895178&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0