%0 Journal Article
%T 为第三代红外系统选择探测器
%A 顾聚兴
%J 红外
%D 2004
%I 
%X 为第三代热成像系统选择正确的探测器技术的决定直接产生于对这些系统的期望和要求。现已明确，第三代热成像器仍需要更高的分辨率以及进行多光谱探测和敏感偏振光的能力。本文分析四种可以选择的技术，它们是HgCdTe探测器、非致冷微测辐射热计、基于锑化物的材料和量子阱红外光电探测器。根据每种技术的成熟度、所冒的风险以及技术之间的差距，本文断言，量子阱红外光电探测器最适合非战略应用(非低背景状态)。从理论上来看，以三元和超晶格锑化物为基础的材料族是最佳选择对象，但考虑到其不够成熟的工艺以及所冒的风险，本文并未推荐这种材料。本文预料非致冷探测器将广泛进入低端和中端市场。由于源源不断的资金以及在战略上的重要性，HgCdTe探测器仍将不断取得进步。
%K 第三代红外系统
%K 红外成像技术
%K 非致冷微测辐射热计
%K 量子阱红外光电探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=8FD6F3C2BC25C067&yid=D0E58B75BFD8E51C&iid=B31275AF3241DB2D&sid=339D79302DF62549&eid=42425781F0B1C26E&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0