%0 Journal Article
%T 非致冷红外光电探测器性能不久将获提高
%A 高国龙
%J 红外
%D 2003
%I 
%X 波兰Vigo System SA公司开发经理Jozef Piotrowski最近撰文指出,最近一两年内,无需依靠低温致冷进行工作的中波红外(3μm～5μm)和长波红外(8μm～14μm)光电探测器的性能预期会有很大提高。这些高温器件将得益于更先进的体系结构的使用、微型光具与有源元件的
%K 非致冷红外光电探测器
%K 分子束外延生长
%K 性能
%K 异质结构
%K 碲镉汞化合物
%K HgCdTe
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=E55B104D7F1B832FE506D95D777CA7D4&yid=D43C4A19B2EE3C0A&iid=5D311CA918CA9A03&sid=ECE8E54D6034F642&eid=BE33CC7147FEFCA4&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0