%0 Journal Article
%T 用红外光学诊断技术监控工艺流程
%A 高
%J 红外
%D 2006
%I 
%X 在一般的半导体蚀刻和薄膜淀积工艺流程中，晶片参数是在晶片加工完之后测量的。如果测得的参数不在所希望的容限范围内，则需要对工艺参数进行调整，同时还需要对更多的晶片进行测量，以验证测量值是否正确。这种后加工分析方法费时、效率低，而且随着晶片尺寸的增加，其成本也会变得越来越高。
%K 工艺流程
%K 技术监控
%K 光学诊断
%K 红外
%K 晶片加工
%K 半导体蚀刻
%K 测量值
%K 薄膜淀积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=2C795403CA5E79B24FA8529E352FE48F&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=708DD6B15D2464E8&sid=F3583C8E78166B9E&eid=F3583C8E78166B9E&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0