%0 Journal Article
%T Influence of Magnetron Sputtering Process on Properties and Structures of VOx Thin Films<br>磁控溅射工艺对VOx薄膜结构和性能的影响
%A niezhuhua
%A <br>聂竹华
%J 红外
%D 2010
%I 
%X 以高纯氧和高纯氩为气源，通过改变薄膜的制备工艺，用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VOx 薄膜，并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪，对VOx薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明，当溅射 气压为1.5Pa，功率为100W，时间为1h，氧氩比为0.8∶25时， 经450℃退火后，玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数(TCR)超过-0.02/℃，其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VOx 薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8∶25时，单晶硅片上制得的VOx薄膜的质量和性能最好。
%K DC magnetron sputtering
%K annealing
%K VOx thin films
%K process
%K TCR<br>直流磁控溅射
%K 退火
%K VOx薄膜
%K 工艺
%K 电阻温度系数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=E15786F2B4145DD0E874B9AE30E1AC23&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=9CF7A0430CBB2DFD&eid=FC0714F8D2EB605D&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=11