%0 Journal Article
%T 在分子束外延P型HgCdTe薄膜上制造长波红外平面光电二极管
%A Ovsy.
%A VN 顾聚兴
%J 红外
%D 1998
%I 
%X 本文介绍了分子束外延生长ＨｇＣｄＴｅ外延层以及利用平面工艺技术制制敏感波长为８μｍ－１０μｍ的小型ｐ－ｎ结的结果，在分子束外延过程中，生长动态，组分和表面粗糙度是利用内在高能电子衍射计和椭圆对称计在原位控制的。小面积光敏二极管（５０×７０μｍ）是利用平面工艺技术和阳极氧化物薄膜下的退火技术而制造出来的，Ｖ－Ｉ，光谱响应以及噪声特性的测量结果表明，在用发子束外延技术生长的碲镉汞外延层上制造的光电二极
%K LWIR
%K 长波
%K 红外
%K 光电二极管
%K 汞镉碲
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=C2FEE0E2481A630088C88293884A27C8&yid=8CAA3A429E3EA654&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=BCA2697F357F2001&eid=EA389574707BDED3&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0