%0 Journal Article
%T 紧跟CCD器件的CMOS探测器
%A 顾聚兴
%J 红外
%D 2003
%I 
%X 经过数十年的研究与发展,互补金属氧化物半导体(CMOS)探测器有可能在各种应用中取代随处可见的电荷耦合器件(CCD),而且不单单是在成像技术方面。CMOS器件可做在与微处理器使用的芯片相同的芯片上,在过去的
%K CCD器件
%K CMOS探测器
%K 互补金属氧化物半导体
%K 电荷耦合器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=D50D2C610A5D2616B10A0575D5678D4D&yid=D43C4A19B2EE3C0A&iid=E158A972A605785F&sid=339D79302DF62549&eid=933658645952ED9F&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0