%0 Journal Article
%T 负阻发光二极管的结构原理及应用
%A 秉时
%J 红外
%D 2004
%I 
%X 负阻发光二极管是一种p-n-p-n四层结构的半导体发光器件．它具有负阻特性，故其有开关特性．硅四层结构器件如接成三端形式，便是可控硅器件．如果发光二极管所用的晶体做成两端p-n-p-n器件，就可获得负阻特性并在通态发光．以下，介绍其结构原理及应用．
%K 负阻发光二极管
%K 二极管结构
%K 伏安特性曲线
%K 技术参数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=7C93C66AAAE0EA74&yid=D0E58B75BFD8E51C&iid=5D311CA918CA9A03&sid=B6DA1AC076E37400&eid=7BCFC92F5819012ACD1811FC42612CFC&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0