%0 Journal Article %T The Preliminary Study of CdS Thin-film Prepared by Chemical Bath Deposition
水浴沉积法制备硫化镉薄膜的初步研究 %A Lin Jianmin %A Xie Zhenhai %A Yan Jiahu %A Qiao Yizhou %A Cao Yuanshuo %A Lin Yinghao %A Li jiankang %A
林健敏 %A 解振海 %A 颜佳华 %A 乔逸舟 %A 曹元硕 %A 林英豪 %A 李建康 %J 红外 %D 2012 %I %X 采用化学水浴沉积法制备了半导体薄膜硫化镉(CdS)太阳能电池材料,对影响成膜的因素以及薄膜的结构和光学性能进行了初步测试研究。结果表明,反应溶液的pH值以及薄膜的退火温度是影响成膜的重要因素。实验中pH值范围控制在10.5~10.8之间,最佳退火温度为400℃。另外退火时滴加CdCl2溶液并将其涂抹于薄膜表面,可以使薄膜在可见光范围的透过率得到进一步的提高。 %K CdS thin-film %K solar cell %K chemical bath deposition %K optical property
CdS薄膜 %K 太阳能电池 %K 化学水浴沉积法 %K 光学性能 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=748879E4497F3C2E7DC3681BE15B42C7&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=708DD6B15D2464E8&sid=340AC2BF8E7AB4FD&eid=9971A5E270697F23&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0