%0 Journal Article
%T 长波HgCdTe光电二极管：n^＋在p上面的结构与p在n上面的结构的比较
%A Rogal.
%A A 顾聚兴
%J 红外
%D 1996
%I 
%X 从理论上ｎ＾＋在ｐ上和ｐ在ｎ上的ＨｇＣｄＴｅ光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机现控制的热发生的结果，对于工作于７７Ｋ，采用０．１ｅＶ基材料的两种类型的ＨｇＣｄＴｅ光电二极管，均考虑了结位置对Ｒ０Ａ积，光电增益以及噪声的影响。尤其是，详细分析了两种结构的作为截止波长的温度的函数的Ｒ０Ａ积。就假定的同质结基区掺杂浓度而言（对于ｎ＾＋在ｐ上的结构，Ｎａ＝５×１０＾１５ｃｍ
%K HgCdTe
%K 光电二极管
%K Pn结
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=CCBCBA1D60B5249AB856F0CEB30F170A&yid=8A15F8B0AA0E5323&iid=94C357A881DFC066&sid=EA389574707BDED3&eid=DB817633AA4F79B9&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0