%0 Journal Article %T PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF SELF- ORGANIZED InGaAs/GaAs QUANTUM DOT STRUCTURES''
InGaAs/GaAs自组织量子点光致发光特性研究 %A NIU Zhi %A Chuan %A WANG Xiao %A Dong %A MIAO Zhen %A Hua %A FENG Song %A Lin %A
牛智川 %A 王晓东 %J 红外与毫米波学报 %D 2001 %I Science Press %X 用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份InxGa1-xAs(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性的影响,用InxGa1-xAs外延层覆盖InAs/GaAs量子点,比用GaAs做 其发光峰能量向低有端移动,发光峰半高度变窄,量子点发光峰能量随温度的红移幅度较小,理论计算证实这是由于覆盖层InxGa1-xAs减小了InAs表面应力导致发光峰红移,而In元素有效抑制了InAs/GaAs界面组份的混杂,量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄,用InGaAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3μm发光,室温下PL谱半高宽为19.2meV,是目前最好的实验结果。 %K InAs/GaAs self %K organized quantum dots %K photoluminescence %K molecular beam epitaxy %K InGaAs capping layer
InAs/GaAs自组织量子点 %K 分子束外延 %K InGaAs覆盖层 %K 光荧光谱 %K 发光峰红移 %K 光致发光特性 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=EE80B5992EF2DC7D&yid=14E7EF987E4155E6&vid=A04140E723CB732E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=A04140E723CB732E&eid=B91E8C6D6FE990DB&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=10