%0 Journal Article
%T PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF SELF- ORGANIZED InGaAs/GaAs QUANTUM DOT STRUCTURES''<br>InGaAs／GaAs自组织量子点光致发光特性研究
%A NIU Zhi
%A Chuan
%A WANG Xiao
%A Dong
%A MIAO Zhen
%A Hua
%A FENG Song
%A Lin
%A <br>牛智川
%A 王晓东
%J 红外与毫米波学报
%D 2001
%I Science Press
%X 用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份InxGa1-xAs(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性的影响，用InxGa1-xAs外延层覆盖InAs/GaAs量子点，比用GaAs做 其发光峰能量向低有端移动，发光峰半高度变窄，量子点发光峰能量随温度的红移幅度较小，理论计算证实这是由于覆盖层InxGa1-xAs减小了InAs表面应力导致发光峰红移，而In元素有效抑制了InAs/GaAs界面组份的混杂，量子点的均匀性得到改善，PL谱半高宽变窄，用InGaAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1．3μm发光，室温下PL谱半高宽为19．2meV，是目前最好的实验结果。
%K InAs/GaAs self
%K organized quantum dots
%K photoluminescence
%K molecular beam epitaxy
%K InGaAs capping layer<br>InAs／GaAs自组织量子点
%K 分子束外延
%K InGaAs覆盖层
%K 光荧光谱
%K 发光峰红移
%K 光致发光特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=EE80B5992EF2DC7D&yid=14E7EF987E4155E6&vid=A04140E723CB732E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=A04140E723CB732E&eid=B91E8C6D6FE990DB&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=10