%0 Journal Article
%T p~ -ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究
%A 王善忠
%A 谢绳武
%A 庞乾骏
%A 姬荣斌
%A 巫艳
%A 何力
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%I Science Press
%X 研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达～ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 Na]- Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (～ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 .
%K 氮掺杂源
%K MBE
%K p-ZnSe
%K 评价
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=E80B095ADB45FB115EC39DDF4AE34C3F&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=94C357A881DFC066&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0