%0 Journal Article
%T PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTROSCOPY OF BE ACCEPTOR IN GaAs<br>GaAs中Be受主的光热电离光谱研究
%A YUAN Xian-Zhang
%A LU Wei
%A SHI Guo-Liang
%A CHEN Yi-Dong
%A CHEN Zhang-Hai
%A LI Ning
%A SHEN Xue-Chu
%A <br>袁先漳
%A 陆卫
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%I Science Press
%X 应用光热电离光谱方法研究了ＭＢＥ生长ＧａＡｓ薄膜中Ｂｅ受主的杂质能级。通过与理论计算的比较，将观测到的３个跃迁峰归属于Ｇ线、Ｃ线和Ｄ线跃迁，同时在实验上也观察到Ｂｅ受主１ｓ３／２（Γ％＾＋）态到２ｐ１／２（Γ＾）态跃迁，由实验结果算得Ｂｅ受主的电离能为２８．６ｍｅＶ。
%K shallow impurity
%K acceptor
%K photothermal ionization spectroscopy<br>浅杂质
%K 受主
%K 光热电离光谱
%K 砷化镓
%K 半导体
%K 铍
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=EDC1E67C305C8FCB&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=94C357A881DFC066&sid=44FDB9366EDDFA2B&eid=3BAAE0DA6093AC05&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=1&reference_num=3