%0 Journal Article
%T STUDY ON MATCHING RESISTOR OF 40GB/S HIGH-SPEED SUBMOUNTS
应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究
%A ZHANG Ming-Jun
%A SUN Chang-Zheng
%A CAI Peng-Fei
%A XIONG Bing
%A LUO Yi
%A
张明俊
%A 孙长征
%A 蔡鹏飞
%A 熊兵
%A 罗毅
%J 红外与毫米波学报
%D 2007
%I Science Press
%X 针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6Ω.cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.
%K impedance matching
%K Ta2N thin-film
%K contact resistance
%K specific contact resistivity
阻抗匹配
%K Ta2N薄膜
%K 接触电阻
%K 比接触电阻率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=3835D9FA33568444&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=96C778EE049EE47D&iid=94C357A881DFC066&sid=A04F01817ECB9A48&eid=375BEEEA164CFE59&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=8