%0 Journal Article
%T XAFS STUDIES ON LOCAL STRUCTURES OF NANOCRYSTALLINE AND CRYSTALLINE GaN ''<br>蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究
%A ZHANG Xin
%A Yi
%A LI Zhong
%A Rui
%A YAN Wen
%A Sheng
%A WANG Xiao
%A Guang
%A WEI Shi
%A Qiang
%A <br>张新夷
%A 陆坤权
%J 红外与毫米波学报
%D 2001
%I Science Press
%X 利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构，对于第一近邻Ga－N配位，纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近，分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm；当温度从78K增加到300K，GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多，小于0．0005nm，表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强，几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位，R为0．318nm，纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm；在78K和300K时，纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm，这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响，纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大，可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。
%K XAFS
%K GaN material
%K local structures<br>XAFS
%K 局域
%K X－射线吸收精细结构
%K 局域配位环境结构
%K 蓝色发光氮化镓材料
%K 纳米晶
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=D54BCC6AFA41041A&yid=14E7EF987E4155E6&vid=A04140E723CB732E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=DF92D298D3FF1E6E&eid=F3090AE9B60B7ED1&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=12