%0 Journal Article
%T SURFACE STICKING COEFFICIENT OF As IN MOLECULAR BEAM EPITAXY OF HgCdTe<br>As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数
%A WU Jun
%A WU Yan
%A CHEN Lu
%A YU Mei
%A Fang
%A QIAO Yi
%A Min
%A HE Li
%A <br>吴俊
%A 巫艳
%A 陈路
%A 于梅芳
%A 乔怡敏
%A 何力
%J 红外与毫米波学报
%D 2002
%I Science Press
%X 报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .
%K SIMS
%K MBE
%K HgCdTe
%K As doping<br>二次离子质谱
%K 分子束外延
%K 碲镉汞
%K 砷掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=9995240C7EB0A60D&yid=C3ACC247184A22C1&vid=659D3B06EBF534A7&iid=94C357A881DFC066&sid=15251AE9C02726D3&eid=406BF8ED3BCE1927&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=2&reference_num=12