%0 Journal Article %T ANALYSIS AND OPTIMUM DESIGN ON GeSi/Si MQW OPTICAL WAVEGUIDE AND ABSORBTION LAYER
GeSi/Si多量子阱光波模特性分析的吸收层结构设计 %A LI N %A LI Ning %A LU Wei %A SHEN Xue-Chu %A Li Guo-zheng %A LIU En-ke %A
李娜 %A 李国正 %J 红外与毫米波学报 %D 1998 %I Science Press %X 根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程,分析了在以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中,Ge含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影响,并结合吸收特点对MQW吸收层结构进行优化设计 。 %K GeSi/Si MQW %K optical waveguide %K absorbtion layer
GeSi/Si %K 多量子阱 %K 光波导 %K 吸收层 %K 模特性 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=AD83EE29E2C554E0&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=BCA2697F357F2001&iid=38B194292C032A66&sid=38685BC770C663F2&eid=3D9746C06EC12B45&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=6