%0 Journal Article
%T IN-SITU DEPOSITION OF PZT FERROELECTRIC THIN FILMS AT LOW TEMPERATURE<br>PZT铁电薄膜的低温原位生长
%A WANG Zhen-Dong
%A LAI Zhen-Quan
%A FAN Ding-Huan
%A ZHANG Jing-Ji
%A HUANG Qi-Hui
%A <br>王震东
%A 赖珍荃
%A 范定寰
%A 张景基
%A 黄奇辉
%J 红外与毫米波学报
%D 2008
%I Science Press
%X 在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度(235～310℃)和纯Ar气氛中原位生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射(XRD)测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品(Ar/PZT/LNO结构)的铁电性能.结果表明:(1)溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈(111)、(200)取向;(2)上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm2,漏电流密度为1.34×10-4A/cm2.
%K 铁电薄膜
%K 原位生长
%K 射频溅射
%K 钙钛矿相
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=F88579468AFD0F93F1E5E4CDC7F737D6&yid=67289AFF6305E306&vid=DB817633AA4F79B9&iid=38B194292C032A66&sid=A1266CF37D675CF1&eid=6ED15D8DCB279BC4&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=8