%0 Journal Article
%T COMPARATIVE ANALYSIS OF CHARACTERISTICS OF GaN AND GaN: Mg FILMS GROWN BY MOCVD<br>MOCVD生长GaN和GaN：Mg薄膜的对比研究
%A 冯倩
%A 王峰祥
%A 郝跃
%J 红外与毫米波学报
%D 2004
%I Science Press
%X 对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN：Mg薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现：两种样品均处于张力作用之下，但是GaN：Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度，致使薄膜质量变差；其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大，所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力，从而使薄膜张力减小，最后通过计算说明对于GaN：Mg样品而言，除了载流子以外，薄膜质量同样也会对A1(LO)模式产生影响．
%K 氮化镓薄膜
%K 镁掺杂
%K 异质外延
%K X射线衍射
%K 扫描电子显微镜
%K 拉曼散射
%K MOCVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=53E9AAF56CC783DD&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=EA389574707BDED3&iid=38B194292C032A66&sid=BC084ACE66B62CC8&eid=02DC3A182A5530DF&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=1&reference_num=9