%0 Journal Article
%T NORMALLY INCIDENT INFRARED ABSORPTION IN VERTICALLY ALIGNED InGaAs/GaAs QUANTUM DOT SUPERLATTICE<br>InGaAs／GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收
%A ZHUANG Qian
%A Dong
%A LI Jin
%A Min
%A ZENG Yi
%A Ping
%A PAN Liang
%A KONG Mei
%A Ying
%A LIN Lan
%A Ying
%A <br>庄乾东
%A 李晋闽
%J 红外与毫米波学报
%D 1998
%I Science Press
%X 利用分子束外延技术，生长了３０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格，透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准，红外吸收测试观察以明显的垂直入射红外吸收，吸收范围为８．５～１０．４μｍ之间，峰值波长为９．９μｍ第一次实现了响应８～１２μｍ大气窗口的量子点的垂直入射红外吸收，这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。
%K quantum dot
%K superlattice
%K infrared absorption<br>量子点
%K 超晶格
%K 红外吸收
%K 铟镓砷
%K 砷化镓
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=B3E8345F4744D3726C18D450571DBA6A&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=BCA2697F357F2001&iid=B31275AF3241DB2D&sid=F18BA6286A889C1C&eid=03436AC72A659ACA&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=4