%0 Journal Article
%T SIMULATION OF TEMPERATURE DEPENDENCE OF RESISTANCE IN THERMOCHROMIC NANO-VO2 THIN FILMS BY USING RANDOM RESISTOR NETWORKS<br>用随机阻抗网络模拟纳米热致变色VO2薄膜的电阻温度特性
%A DAI Jun
%A WANG Xing-Zhi
%A HE Shao-Wei
%A HUANG Ying
%A YI Xin-Jian
%A <br>戴君
%A 王兴治
%A 何少伟
%A 黄鹰
%A 易新建
%J 红外与毫米波学报
%D 2008
%I Science Press
%X 用反应离子束溅射法制备了低相变点(45℃)纳米二氧化钒(VO2)薄膜,并利用随机阻抗网络模型来模拟其电阻-温度特性.在模拟过程中,该薄膜被等效为一个由半导体相和金属相微粒随机分布组成的复合系统.氧化钒薄膜电阻温度特性的模拟结果与实验测量值在整个温度变化范围(10～75℃)十分吻合.这一结果表明,氧化钒薄膜在温度变化过程中发生相分离,且半导体相微粒和金属相微粒之间相互竞争导致了氧化钒薄膜电阻的突变.
%K 热滞
%K 随机阻抗网络
%K 氧化钒
%K 体积分数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=5C7B4CC39560CAFC4A6D859C5FE421F2&yid=67289AFF6305E306&vid=DB817633AA4F79B9&iid=94C357A881DFC066&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=10