%0 Journal Article
%T 表面复合对HgCdTe光导器件的影响
%A 胡燮荣
%A 刘兆鹏
%A 刘雪兰
%A 尹红
%A 王诚庆
%J 红外与毫米波学报
%D 1983
%I Science Press
%X 本文用我们曾导出的探测率D_λ~*公式计算了表面复合对HgCdTe光导器件的影响。计算结果表明:对77K、8～14μm和300K、3～5μmHgCdTe光导器件,表面复合速度应降到10~3cm/s以下,否则,D_λ~*将明显下降。随表面复合速度的增加,D_λ~*下降,而最佳厚度增大。本文计算得到了这三者之间的关系。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=CA58ACAD9E09623AFD1D2885DF3714E8&yid=A7F20A391020FDEE&vid=0B39A22176CE99FB&iid=38B194292C032A66&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0